SiC功率元器件选型手册

碳化硅元器件由于其材料自身的特性（宽禁带宽度，高击穿场强，低导通电阻，低热阻等），相比于硅级元器件，适用于高结温，高击穿电压，高功率，大电流等，满足了当下电力电子行业新的发展需求。

SiC肖特基势垒二极管：超快开关速度，极小反向恢复电流，从而大大降低开关损耗并实现卓越能效。

SiC-MOSFET：低损耗，更快的开关速度，高阻断电压，适应于最高600℃的高温环境，可实现整个系统的小型化。

SiC功率模块：多个碳化硅芯片模块化集成封装，进一步提升了碳化硅功率器件的电流容量，相对于Si级功率模块，开关损耗及体积均大幅下降。且其高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，将极大地提高现有能源的转换效率。

betway官网成立于2018年4月，是在陕西省委省政府的支持下，联合中国西电集团公司、西安电子科技大学和西安高新区共同投资建设以企业化运营模式成立的共性研发平台。主要致力于加快半导体前沿关键技术研发创新，推动必威官方首页官网器件和第三代半导体为核心的产业创新体系，服务于中国必威官方首页官网的技术创新和转化，并主要面向全国半导体产业，开展公共服务，推动建立产线创新体系，促进产业发展，突破中国半导体的“卡脖子”技术问题。

先导中心依托西电微电子学院开展SiC技术产业化工作，西电微电子学院是国内最早从事碳化硅技术研发的单位，已经有近三十年的积累，专利储备数量国内排名第一，全球前八。先导中心利用西电技术已经研制出多款高性能碳化硅功率器件，主要器件均可实现国产替代，部分型号填补了国内空白。

应用领域：

新能源汽车:  充电桩、车载充电机（OBC）、压缩机、DC/DC变换器、主电机驱动器等;

智能电网：储能系统、换流阀、交流输电设备、高压直流断路器、电力电子变压器、无功补偿设备、光伏逆变器等装置中;

轨道交通： 牵引变流器、辅助变流器、电力电子变压器等。

SiC SBD料号注释：

SA1D065001SA./SA1D065001S(裸芯)

SA     ——先导中心

1      ——代际

D      —— 肖特基二极管

0650   ——额定电压

01     —— 额定电流”

S      ——单芯       S：单芯   D:  双芯

A      ——封装        A:  TO-220AC(2pin)    C: TO-247(2pin)   D: TO-247(3pin)

SiC MOSFET料号注释：

SA1M12000020D/SA1M12000020(裸芯)

SA       ——先导中心

1        ——代际

M       ——MOSFET

1200     ——额定电压

0020     ——导通电阻

D        ——封装 TO-247(3pin)