先导中心申报的《1200V等级系列SiC高压大功率器件芯片技术》获得2021西安“好设计”作品
发布时间：2021-11-23
日前，Betway必威手机版所申报的《1200V等级系列SiC高压大功率器件芯片技术》获得2021西安“好设计”作品。该项目通过开展高性能SiC基高压功率器件关键共性技术研究，建立器件的数值仿真和解析模型，提出SiC基高压功率器件优化设计方法，突破器件制备相关的离子注入、高温退火、结终端保护等关键工艺技术难点，优化SiC功率器件的工艺流程，研制出1200V系列SiC功率器件芯片样品，实现高压大功率1200V系列碳化硅功率器件芯片相关技术的积累，且多款产品已实现量产，客户反馈良好。
创新设计特点：
1.SiC高压大功率器件级模拟仿真技术。建立针对万伏级SiC器件的仿真模型，验证模型的合理性，正确反映器件的直流特性和动态特性。
2.高质量深沟槽刻蚀技术。优化深沟槽刻蚀工艺，实现表面粗糙度的有效降低，消除刻蚀形貌中的微沟槽效应。
3.高效结终端保护技术。建立高效结终端结构设计方法，优化关键实施工艺，实现高可靠SiC功率器件的制备。
西安“好设计”活动由西安创新设计中心主办，目前已成功举办三届，本届活动由专家组对通过初审的所有作品进行评审，最终评选出2021西安“好设计”作品10件！
先导中心所研制的1200V碳化硅系列产品，覆盖了SBD，MOSFET以及功率模块，目前已在包含工业电源、储能、充电桩等多个领域应用，客户反馈良好。
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