先导中心即将推出1200V 20mΩ SiC MOSFET产品
发布时间：2021-12-03
先导中心即将推出的1200V SiC MOSFET产品SA1M12000020型号，采用自对准短沟道工艺，大幅度降低了器件导通电阻，达到20mΩ，使其具有高开关速度、低导通损耗等特点，将为应用系统带来更高的功率密度、更高的工作温度。
SA1M12000020型号目前在国内处于领先地位，此型号产品在高功率密度电源和电驱动领域有较大的优势,在充电桩、储能、工业电源有广泛的应用，特别是在可再生能源变频器,电动车辆充电系统,三相工业电源领域具备较大优势。由于可做到国内领先的120A的单管Id电流，区别于目前主流市场的导通电阻80mΩ，额定电流40A的碳化硅MOSFET，在应用领域,可大幅减少并联,有助实现更小型更高效的下一代功率转换系统。同时相对其他等效的MOSFET，其有较低的导通电阻（20mΩ），从而减少发热，有效解决市场之痛点。欢迎广大客户前来垂询！
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